英特爾宣布終止對 Tower Semiconductor 的收購
加州聖克拉拉，2023 年8 月16 日– 英特爾公司（納斯達克股票代碼：INTC）今天宣布，由於無法獲得收購Tower 的許可，該公司已與Tower Semiconductor（納斯達克股票代碼： TSEM）雙方同意終止先前揭露的收購Tower 的協議。及時獲得2022 年2 月15 日合併協議所需的監管批准。根據合併協議的條款以及與終止相關的合併協議，英特爾將向Tower 支付3.53 億美元的終止費用。
英特爾執行長 Pat Gelsinger 表示：“我們的代工工作對於釋放 IDM 2.0 的全部潛力至關重要，我們將繼續推動策略的各個方面。” 「我們在路線圖上執行得很好，到2025 年重新獲得晶體管性能和功率性能領先地位，與客戶和更廣泛的生態系統建立動力，並進行投資以提供世界所需的地理多樣化和有彈性的製造足跡。透過這個過程，我們對 Tower 的尊重不斷增長，我們將繼續尋找未來合作的機會。” 號
英特爾代工服務(IFS) 高級副總裁兼總經理Stuart Pann 表示：「自2021 年推出以來，英特爾代工服務贏得了客戶和合作夥伴的青睞，我們在成為第二家製造商的目標方面取得了重大進展。- 到本世紀末成為全球最大的外部鑄造廠。作為世界上第一個開放系統代工廠，我們正在建立差異化的客戶價值主張，擁有超越傳統晶圓製造的技術組合和製造專業知識，包括封裝、小晶片標準和軟體。」
IFS 在過去一年中取得了重大進展，2023 年第二季度收入同比增長超過 300% 就證明了這一點。英特爾最近與 Synopsys 達成的開發知識產權組合的協議進一步說明了這一勢頭。 IP） 在Intel 3 和Intel 18A 進程節點上。英特爾還獲得了美國國防部快速保證微電子原型商業 (RAMP-C) 計劃第一階段的合同，有 5 個 RAMP-C 客戶參與了英特爾 18A 的設計。此外，英特爾與 Arm 達成了多代協議，使晶片設計人員能夠在 18A 上構建低功耗計算片上系統 (SoC)，並且英特爾與聯發科簽署了戰略合作夥伴關係，以使用 IFS 的先進製程技術。
前瞻性陳述
本新聞稿包含涉及許多風險和不確定性的前瞻性陳述。此類聲明包括有關英特爾業務計劃和戰略以及由此帶來的預期收益的聲明，包括有關其外部代工雄心、內部代工模式、IDM 2.0 戰略、製造產能擴張計劃和客戶價值主張的聲明。此類聲明涉及許多風險和不確定性，可能導致我們的實際結果與明示或暗示的結果有重大差異，包括： 英特爾產品需求的變化；英特爾未能實現其策略、計劃和擬議交易的預期收益；半導體產業的激烈競爭與快速的技術變革；對研發以及英特爾業務、產品、技術和製造能力的大量前期投資；半導體製造業務的複雜性和固定成本性質；因業務、經濟或其他因素導致施工延誤或計畫變更；資本要求的增加和資本投資計劃的變化；與英特爾計劃資本投資相關的預期政府激勵措施和相關批准的不利變化；易受新產品開發和製造相關風險的影響，包括產品缺陷或勘誤表，特別是在英特爾開發下一代產品並實施下一代製程技術時；與高度複雜的全球供應鏈相關的風險，包括中斷、延誤、貿易緊張或短缺；與銷售相關的風險，包括客戶集中度以及經銷商和其他第三方的使用；英特爾產品中潛在的安全漏洞；網路安全和隱私風險；投資和交易風險（例如擬收購Tower Semiconductor無法及時獲得監管部門批准）；智慧財產權風險以及與訴訟和監管程序相關的風險；許多司法管轄區不斷變化的監管和法律要求；地緣政治和國際貿易條件；英特爾的債務義務；大規模全球營運的風險；宏觀經濟狀況；訴訟風險（包括因終止與Tower Semiconductor的合併協議而導致的風險）；COVID-19 或類似流行病的影響；以及英特爾 2023 年 7 月 27 日發布的財報、10-K 表 2022 年年度報告以及向美國證券交易委員會 (SEC) 提交的其他文件中所述的其他風險和不確定性。本新聞稿中的所有資訊均反映了截至本新聞稿發布之日英特爾管理層的觀點，除非指定了更早的日期。英特爾不承擔並明確否認任何義務更新此類聲明，無論是由於新資訊、新發展或其他原因，除非法律要求披露。
關於高塔半導體
Tower Semiconductor Ltd.（納斯達克代碼：TSEM，TASE：TSEM）是高價值模擬半導體解決方案的領先代工廠，為消費、工業、汽車、移動、基礎設施等不斷增長的市場中的集成電路( IC) 提供技術和製造平台。醫療、航空航太和國防。Tower Semiconductor 致力於透過長期合作夥伴關係及其先進和創新的類比技術產品對世界產生積極和可持續的影響，該產品由廣泛的可自訂製程平台組成，例如SiGe、BiCMOS、混合訊號/CMOS、RF CMOS、CMOS影像感測器、非影像感測器、整合電源管理（BCD 和 700V）和 MEMS。Tower Semiconductor 也為 IDM 和無晶圓廠公司提供世界一流的設計支持，以實現快速、準確的設計週期以及包括開發、轉移和優化的製程轉移服務。為了為其客戶提供多晶圓廠採購和擴展產能，Tower Semiconductor 在以色列擁有兩個製造工廠（150mm 和200mm），在美國擁有兩個製造工廠（200mm），在日本擁有兩個製造工廠（200mm 和300mm），Tower Semiconductor 透過其51% 的股權擁有這兩個製造工廠。TPSCo 的控股公司，並共享意法半導體在義大利建立的 300mm 製造工廠。欲了解更多信息，請訪問www.towersemi.com。
英特爾位於新墨西哥州的先進 300 毫米製造工廠將為 Tower 提供新的產能走廊，以幫助推動未來的成長。
加州聖克拉拉和以色列MIGDAL HAEMEK–(美國商業資訊)–英特爾代工服務(IFS) 和領先的模擬半導體解決方案代工廠Tower Semiconductor（納斯達克股票代碼：TSEM）今天宣布達成一項協議，英特爾將提供代工服務服務和 300mm 製造能力可協助 Tower 為全球客戶提供服務。根據協議，Tower 將利用英特爾位於新墨西哥州的先進製造工廠。Tower 將投資高達 3 億美元購買和擁有將安裝在新墨西哥州工廠的設備和其他固定資產，為 Tower 的未來增長提供每月超過 600,000 個照片層的新產能走廊，從而使產能能夠支持預測的客戶需求300mm先進模擬處理。
該協議體現了英特爾和 Tower 致力於透過無與倫比的解決方案和擴展能力擴大各自代工業務的承諾。英特爾將在新墨西哥州里奧蘭喬的英特爾 Fab 11X 工廠生產 Tower 高度差異化的 65 奈米電源管理 BCD（雙極-CMOS-DMOS）流程以及其他流程。
英特爾高級副總裁兼英特爾代工服務總經理斯圖爾特·潘恩(Stuart Pann) 表示：「我們推出英特爾代工服務的長遠目標是提供全球首個開放式系統代工廠，將安全、可持續和彈性的供應鏈與英特爾和我們生態系的最佳成果。我們很高興 Tower 看到了我們提供的獨特價值，並選擇我們來開放他們的 300 毫米美國產能走廊。”
Tower 執行長 Russell Ellwanger 表示：「我們很高興能繼續與英特爾合作。展望未來，我們的主要重點是透過大規模製造領先的技術解決方案來擴大我們的客戶合作夥伴關係。與英特爾的合作使我們能夠滿足客戶的需求路線圖，特別關注先進的電源管理和射頻絕緣體矽 (RF SOI) 解決方案，併計劃於 2024 年進行完整的工藝流程認證。我們認為這是第一步與英特爾共同打造多種獨特的協同解決方案。”
該協議展示了 IFS 如何幫助您進入英特爾全球工廠網路（包括美國、歐洲、以色列和亞洲）的製造能力走廊。除了在俄勒岡州的現有投資和計劃在俄亥俄州的投資外，英特爾 40 多年來一直在美國西南部地區進行投資和創新，在亞利桑那州和新墨西哥州設有工廠。英特爾先前宣布投資 35 億美元，擴大在新墨西哥州的業務，並裝備其創新中心之一的里約蘭喬園區，用於製造先進的半導體封裝。
對於 Tower 來說，這是其擴大規模的下一步，透過業界領先的 65nm BCD 功率和 RF SOI 技術在市場上的廣泛採用，為不斷擴大的 300mm 技術客戶群提供服務。具體來說，Tower 的 65nm BCD 技術透過其一流的 Rdson 品質因數為客戶提供了更高的功率效率、晶片尺寸和晶片成本。同樣，Tower 的 65nm RF SOI 技術可協助客戶降低手機電池消耗，同時透過其一流的 RonCoff 品質因數改善無線連線。該協議帶來的規模擴大將使 Tower 不僅能夠利用現有技術提供更大的機會，而且還能加強與行業領先客戶的合作夥伴關係，這將有助於製定強大的下一代技術路線圖。
IFS 是英特爾 IDM 2.0 策略的重要支柱，今天的宣布標誌著英特爾在多年轉型中又向前邁出了一步，旨在重新獲得併加強技術領先地位、製造規模和長期增長。IFS 在過去一年中取得了重大進展，2023 年第二季度營收年增超過 300% 就證明了這一點。英特爾最近與 Synopsys 達成協議，開發基於 IFS 的智慧財產權組合，進一步說明了這一勢頭。 Intel 3 和Intel 18A 進程節點。英特爾還獲得了美國國防部的快速保證微電子原型 - 商業 (RAMP-C) 計劃，有五個 RAMP-C 客戶參與了英特爾 18A 的設計。